最終更新:2018-06-05 (火) 22:44:13 (2143d)  

フラッシュメモリ
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EEPROMの一種。ブロック単位で消去してから書き込みを行う

タイプ

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NANDフラッシュメモリ

  • ブロック単位でしかリードできない
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NORフラッシュメモリ?

  • ランダムアクセスが可能
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規格

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実装

  • SLC - Single Level Cell 高速、長寿命（10万回）、高価なタイプ
  • MLC - Multi Level Cell 低速、低寿命（1万回）、安価なタイプ
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NAND型フラッシュメモリ　世界シェア　2009年Q3　

韓国勢のシェア　47.2%

  • 1位　サムスン(韓)　38.5%
  • 2位　東芝(日)　34.8%
  • 3位　マイクロン?(米)　9.4%
  • 4位　ハイニックス?(韓)　8.7%
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メーカー




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